湖北江城芯片中试服务有限公司谢缘缘获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖北江城芯片中试服务有限公司申请的专利半导体刻蚀装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222927434U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421918202.X，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型半导体刻蚀装置是由谢缘缘;杨继犇;陈吉思设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体刻蚀装置在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体刻蚀装置，该半导体刻蚀装置包括：刻蚀腔室，刻蚀腔室用于刻蚀晶圆；真空腔室，真空腔室与刻蚀腔室连接；真空腔室用于为晶圆提供真空环境；装载互锁腔室，装载互锁腔室与真空腔室连接；装载互锁腔室用于从真空腔室卸载完成刻蚀的晶圆；净化腔室，净化腔室用于净化完成刻蚀的晶圆，以去除完成刻蚀的晶圆表面残留的刻蚀副产物；其中，净化腔室的位置包括真空腔室和刻蚀腔室连接处、真空腔室内、真空腔室和装载互锁腔室的连接处中的至少一种。
本实用新型半导体刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体刻蚀装置，其特征在于，包括：刻蚀腔室，所述刻蚀腔室用于刻蚀晶圆；真空腔室，所述真空腔室与所述刻蚀腔室连接；所述真空腔室用于为所述晶圆提供真空环境；装载互锁腔室，所述装载互锁腔室与所述真空腔室连接；所述装载互锁腔室用于从所述真空腔室卸载完成刻蚀的所述晶圆；净化腔室，所述净化腔室用于净化完成刻蚀的所述晶圆，以去除完成刻蚀的所述晶圆表面残留的刻蚀副产物；其中，所述净化腔室的位置包括所述真空腔室和所述刻蚀腔室连接处、所述真空腔室内、所述真空腔室和所述装载互锁腔室的连接处中的至少一种。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北江城芯片中试服务有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼3号(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号