百代(上海)数据技术有限公司孙楠楠获国家专利权
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龙图腾网获悉百代(上海)数据技术有限公司申请的专利一种存储器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928734U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421905440.7，技术领域涉及：H10D84/00；该实用新型一种存储器是由孙楠楠设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及到一种存储器。存储器基于三维闪存并具有众多堆叠层，三维闪存的多堆叠层结构中支持信号跨层交互。存储器包括位于任一堆叠层的第一存储单元和相异堆叠层的第二存储单元，和包括连接在第二存储单元的输入端口和第二存储单元的参考地之间的可控硅器件。第一和第二存储单元两者因工作状态不同而导致第一和第二电源线的电压差异超过规范值时，引导可控硅器件导通从而抑制第一存储单元的输出信号在跨层交互期间对第二存储单元的输入端口的电压或电流冲击。反之，第一和第二电源线的电压差异低于该规范值时，禁用可控硅器件，输出信号交互到第二存储单元之输入端口。
本实用新型一种存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，该存储器基于三维闪存并具有众多的堆叠层，在存储器之三维闪存的多堆叠层结构中支持信号跨层交互，该存储器还包括：位于任一堆叠层的第一存储单元，其配置有第一电源线；位于和该任一堆叠层不同的相异堆叠层的第二存储单元，其配置有第二电源线；设置在第一电源线与第二电源线之间的负载；连接在第二存储单元的输入端口和第二存储单元的参考地之间的可控硅器件；其中：负载两端的电压感测值和第一存储单元的输出端口的输出信号经过比较而产生一个驱动信号，其用于驱动基于晶体管触发的可控硅器件，而且所述驱动信号是用来操作可控硅器件的配套的晶体管的接通与否；第一和第二存储单元两者因工作状态不同而导致第一和第二电源线的电压差异超过规范值时，引导可控硅器件予以导通从而抑制第一存储单元的输出信号在跨层交互期间对第二存储单元的输入端口的电压或电流冲击；反之，第一和第二电源线的电压差异低于该规范值时，禁用可控硅器件，允许所述输出信号交互到第二存储单元之输入端口。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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