台湾积体电路制造股份有限公司黄圣凯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222927495U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421892299.1，技术领域涉及：H01L23/538；该实用新型半导体结构是由黄圣凯;孙维德设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本揭露提供具有低电阻通孔接触件的半导体结构。示例的半导体结构包括基板、设置在基板上方的介电质层、设置在介电质层中的电阻器以及设置在电阻器的介电质层中的电阻通孔接触件。电阻通孔接触件还包括设置在电阻器上并与电阻器接触的第一层、设置在第一层上的第二层以及设置在第二层上的第三层。第一层具有第一厚度并具有第一电阻率，第二层具有第二厚度，第三层具有第三厚度并具有第二电阻率。第一厚度大于第三厚度，且第一电阻率小于第二电阻率。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板；一介电质层，设置在该基板上方；一电阻器，设置在该介电质层内，该电阻器沿一第一水平方向从一第一侧壁延伸至一第二侧壁；及一电阻通孔接触件，设置在该介电质层内，其中该电阻通孔接触件沿该第一水平方向从一第一侧连续延伸至一第二侧，并且该电阻通孔接触件进一步包括：一第一层，设置在该电阻器上并与该电阻器接触，其中该第一层具有一第一厚度并且具有一第一电阻率；一第二层，设置在该第一层上并与该第一层接触，其中该第二层具有一第二厚度；及一第三层，设置在该第二层上并与该第二层接触，其中该第三层具有一第三厚度并且具有一第二电阻率，其中该第一厚度大于该第三厚度，且该第一电阻率小于该第二电阻率。
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