杰力科技股份有限公司杨弘堃获国家专利权
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龙图腾网获悉杰力科技股份有限公司申请的专利功率晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928731U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421877711.2，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型功率晶体管是由杨弘堃;刘莒光设计研发完成，并于2024-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率晶体管在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种功率晶体管，其中栅极结构设置于有源区中的衬底中；多个环状的导电沟槽设置于终端区中的衬底中且围绕有源区；掺杂区设置于相邻的导电沟槽之间以及导电沟槽与栅极结构之间；源极导体设置于衬底上且与栅极结构电连接；第一栅极导体与第二栅极导体设置于衬底上，分别位于源极导体的相对两侧，且与栅极结构电连接；漏极设置于衬底的背面处。因此，本实用新型提供的功率晶体管，其可具有较小的布局面积。
本实用新型功率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种功率晶体管，其特征在于，包括：衬底，具有有源区以及围绕所述有源区的终端区，且包括彼此相对的第一表面与第二表面，其中所述衬底具有第一导电型；栅极结构，设置于所述有源区中的所述衬底中，且在第一方向上延伸；多个环状沟槽，在自所述有源区朝外的方向上依序设置于所述终端区中的所述衬底中，且围绕所述有源区；导电层，设置于所述多个环状沟槽中；绝缘层，设置于所述栅极结构与所述衬底之间以及所述导电层与所述衬底之间；第一掺杂区，设置于所述终端区的所述衬底中且位于相邻的环状沟槽之间以及所述环状沟槽与所述栅极结构之间，其中所述第一掺杂区具有与所述第一导电型相反的第二导电型；源极导体，设置于所述第一表面上，在与所述第一方向交错的第二方向上延伸，且与所述栅极结构电连接；第一栅极导体与第二栅极导体，设置于所述第一表面上，在所述第二方向上延伸，在所述第一方向上分别位于所述源极导体的相对两侧，且与所述栅极结构电连接；以及漏极，设置于所述第二表面处。
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