台湾积体电路制造股份有限公司高魁佑获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928737U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421866084.2，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置是由高魁佑;卓琼玉;张铭庆设计研发完成，并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了半导体装置。半导体装置包括彼此垂直地分离的多个半导体层；包括下部和上部的栅极结构，其中下部包裹半导体层中的每一个；以及设置在半导体层和栅极结构之间并分离半导体层和栅极结构的多个扩散帽层。在一些实施方式中，扩散帽层作为半导体层的扩散屏障。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：彼此垂直地分离的多个半导体层；一栅极结构，该栅极结构包括一下部及一上部，其中该下部包裹所述多个半导体层中的每一个；以及多个扩散帽层设置在所述多个半导体层与该栅极结构之间且分离所述多个半导体层及该栅极结构，其中所述多个扩散帽层作为所述多个半导体层的多个扩散屏障。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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