希力微电子(深圳)股份有限公司周治红获国家专利权
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龙图腾网获悉希力微电子(深圳)股份有限公司申请的专利一种超结子层错位分布的耐压区器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928733U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421849802.5，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种超结子层错位分布的耐压区器件是由周治红;周列;黄海猛设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超结子层错位分布的耐压区器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种超结子层错位分布的耐压区器件，包括源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的M个超结子层；M个超结子层沿着源区至漏区方向依次分布；M为大于1的整数；所述超结子层包括超结N型掺杂区和超结P型掺杂区，同一个超结子层中超结N型掺杂区和超结P型掺杂区的接触面为结面；相邻的超结子层中结面之间的夹角大于0°小于等于90°。本实用新型提供的一种超结子层错位分布的耐压区器件，各个超结子层在空间上错开互为一定角度，当耐压区器件处于导通状态时，电流的流动在空间上更为均匀分布，有利于耐压区器件的热流分布更为均匀，从而具备更好的热稳定性。
本实用新型一种超结子层错位分布的耐压区器件在权利要求书中公布了：1.一种超结子层错位分布的耐压区器件，其特征在于，包括源区和漏区，以及位于源区和漏区之间的M个超结子层；M个超结子层沿着源区至漏区方向依次分布；M为大于1的整数；所述超结子层包括超结N型掺杂区和超结P型掺杂区，同一个超结子层中超结N型掺杂区和超结P型掺杂区的接触面为结面；相邻的超结子层中结面之间的夹角大于0°小于等于90°。
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