深圳市昇维旭技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928738U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421825111.1，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体器件是由郭帅设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件，涉及半导体技术领域。该器件包括：衬底、栅极结构、第一外延层和第一金属硅化物层；栅极结构凸出设置于衬底的表面上，栅极结构包括栅极氧化层、栅极层和栅极保护层，栅极保护层的顶面不高于栅极层的顶面；第一外延层覆盖栅极层的顶面，且第一外延层的上表面为曲面，第一外延层为Si层；第一金属硅化物层随形覆盖第一外延层，且第一金属硅化物层的上表面为曲面，第一金属硅化物层为CoSi2层。本公开提供的半导体器件通过在衬底上形成第一外延层，以增大器件的线宽，克服线宽效应，提升了金属硅化物层的形成质量，从而提升器件的整体性能。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；栅极结构，所述栅极结构凸出设置于所述衬底的表面上，所述栅极结构包括栅极氧化层、栅极层和栅极保护层，所述栅极氧化层形成于所述衬底的表面上，所述栅极层形成于所述栅极氧化层上，所述栅极保护层覆盖于所述栅极氧化层和所述栅极层共同构成的侧壁上，且所述栅极保护层的顶面不高于所述栅极层的顶面；第一外延层，所述第一外延层覆盖所述栅极层的顶面，且所述第一外延层的上表面为曲面，所述第一外延层为Si层；第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层随形覆盖所述第一外延层，且所述第一金属硅化物层的上表面为曲面，所述第一金属硅化物层为CoSi2层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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