苏州华太电子技术股份有限公司薛琦获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利功率芯片的封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222927476U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421748104.6,技术领域涉及:H01L23/367;该实用新型功率芯片的封装结构是由薛琦设计研发完成,并于2024-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率芯片的封装结构在说明书摘要公布了:本申请公开了一种功率芯片的封装结构,其包括基底、层叠结构体、导线以及封装层,层叠结构体设置于基底沿第一方向的一侧,层叠结构体包括层叠设置的散热层、转接层以及裸芯片,散热层设置于裸芯片朝向基底的一侧,裸芯片、散热层以及基底之间通过转接层相固定,导线连接裸芯片以及基底,封装层用于封装层叠结构体、导线以及部分基底。其中,散热层沿第二方向的热导率大于转接层沿第二方向的热导率,第二方向与第一方向相交。本申请实施例中的功率芯片的封装结构,能够显著提升功率芯片的散热效率,改善功率芯片的结温和热阻。
本实用新型功率芯片的封装结构在权利要求书中公布了:1.一种功率芯片的封装结构,其特征在于,包括:基底;层叠结构体,设置于所述基底沿第一方向的一侧,所述层叠结构体包括层叠设置的散热层、转接层以及裸芯片,所述散热层设置于所述裸芯片朝向所述基底的一侧,所述裸芯片、所述散热层以及所述基底之间通过所述转接层相固定;导线,连接所述裸芯片以及所述基底;封装层,封装所述层叠结构体、所述导线以及部分所述基底;其中,所述散热层沿第二方向的热导率大于所述转接层沿第二方向的热导率,所述第二方向与所述第一方向相交。
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