买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南京宙讯微电子科技有限公司申请的专利一种声波谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118508916B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410964766.5，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种声波谐振器是由周冲设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种声波谐振器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种声波谐振器及高阶杂波通带抑制方法，提供一个基底，基底上形成有反射栅；第一谐振器组件形成于反射栅上，包括第一底电极、第一顶电极，以及设置在第一底电极和第一顶电极之间的压电层；第二谐振器组件，形成于反射栅上，与第一谐振器组件并列设置，包括第二底电极、第二顶电极，以及设置在第一底电极和第一顶电极之间的压电层；反射栅包括交替堆叠的低声阻抗层和高声阻抗层，第一谐振器组件与第二谐振器组件下方的反射栅存在高度差h，本发明高度差h设置在反射栅由上至下的第二层，改变一侧谐振器的高度，使第一谐振器组件与第二谐振器组件因频率偏移形成的杂波通带变为叠合，从而抑制杂波通带。

本发明授权一种声波谐振器在权利要求书中公布了：1.一种声波谐振器，其特征在于，包括：基底（1），所述基底（1）上形成有反射栅（2）；第一谐振器组件（11），形成于所述反射栅（2）上，包括第一底电极（111）、第一顶电极（112），以及设置在所述第一底电极（111）和第一顶电极（112）之间的压电层（13）；第二谐振器组件（12），形成于所述反射栅（2）上，与所述第一谐振器组件（11）并列设置，包括第二底电极（121）、第二顶电极（122），以及设置在所述第一底电极（111）和第一顶电极（112）之间的压电层（13）；所述反射栅（2）包括交替堆叠的低声阻抗层和高声阻抗层，所述第一谐振器组件（11）与所述第二谐振器组件（12）下方的反射栅（2）存在高度差h，所述高度差h设置在所述反射栅（2）由上至下的第二层（22）；所述低声阻抗层的材料为SiO2，所述高声阻抗层的材料为W或Mo，所述第二层（22）材料为W或Mo；所述第二谐振器组件（12）下方的反射栅（2）的第二层（22）下沉有高度差h；所述高度差h为40A；所述声波谐振器的制备步骤为：S1：准备一个基底（1），在所述基底（1）上交替沉积低声阻抗层和高声阻抗层形成反射栅（2）；S2：当沉积至由上至下第二层（22）时，在第二层（22）的一侧向下刻蚀一个高度差h，接着在第二层（22）上沉积反射栅（2）的最上层；S3：在所述反射栅（2）上制作第一谐振器组件（11）和第二谐振器组件（12），包括在所述反射栅（2）的最上层制作第一底电极（111）和第二底电极（121），所述第一底电极（111）设置于所述反射栅（2）高度较高的一侧，所述第二底电极（121）设置于所述反射栅（2）高度较低的一侧；S4：在所述第一底电极（111）和第二底电极（121）上制作压电层（13）；S5：在所述压电层（13）上制作第一顶电极（112）和第二顶电极（122），所述第一顶电极（112）位于所述第一底电极（111）的正上方，所述第二顶电极（122）位于所述第二底电极（121）的正上方；通过减少所述第二谐振器组件（12）一侧所述第二层（22）的厚度，使所述第一谐振器组件（11）和所述第二谐振器组件（12）之间产生一个高度差h，从而使所述第一谐振器组件（11）和所述第二谐振器组件（12）的主模频率相互靠近，同时所述第一谐振器组件（11）和所述第二谐振器组件（12）的高阶频率叠合，从而抑制高阶杂波的通带；所述第二层（22）的材料为W或Mo；在所述步骤S5中的第二顶电极（122）的上方制作一层调谐层（14）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京宙讯微电子科技有限公司，其通讯地址为：210000 江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园天泉路66号1号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。