甬矽半导体(宁波)有限公司高滢滢获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利半导体器件及叠层结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222927494U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421705938.9,技术领域涉及:H01L23/538;该实用新型半导体器件及叠层结构是由高滢滢;张超;庞宏林;张成设计研发完成,并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及叠层结构在说明书摘要公布了:本申请提供一种半导体器件及叠层结构,涉及半导体封装技术领域。该半导体器件包括:基板、设置在基板的第一表面上的芯片和第一导电凸起,以及设置在基板的第二表面上的第二导电凸起,第二表面与第一表面相对,第一导电凸起包括导电部以及包裹在导电部外表面的保护部,导电部背离基板的一侧露出于保护部,导电部的露出部分用于与另一半导体器件的第二导电凸起连接。该半导体器件中的第一导电凸起采用保护部包裹导电部的结构,当半导体器件翘曲较大,第一导电凸起的数量为多个时,多个第一导电凸起在高度方向上具有很好的一致性,能够保证半导体器件之间电连接的可靠性。
本实用新型半导体器件及叠层结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:基板、设置在所述基板的第一表面上的芯片和第一导电凸起,以及设置在所述基板的第二表面上的第二导电凸起,所述第二表面与所述第一表面相对,所述第一导电凸起包括导电部以及包裹在所述导电部外表面的保护部,所述导电部背离所述基板的一侧露出于所述保护部,所述导电部的露出部分用于与另一所述半导体器件的所述第二导电凸起连接。
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