北京清芯微储能科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉北京清芯微储能科技有限公司申请的专利一种具有较低导通电阻的VDMOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928730U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421667032.2，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种具有较低导通电阻的VDMOSFET器件是由许一力设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有较低导通电阻的VDMOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有较低导通电阻的VDMOSFET器件，包括由若干个MOS元胞并列构成的VDMOSFET结构，所述VDMOSFET结构的底层表面欧姆连接有漏极，所述VDMOSFET结构的顶层表面欧姆连接有源极；单个所述MOS元胞的半导体层与源极之间嵌设有栅极，其栅极高度占VDMOSFET结构厚度的13；所述MOS元胞包括沉底层、扩散层、P阱层以及N阱层，其中N阱层与扩散层之间通过P阱层隔断；所述N阱层包括轻掺杂N阱一、重掺杂N阱一以及重掺杂N阱二。本实用新型采用更长的栅极嵌在半导体内部，并且由于栅极的硬度均匀且相对较大，这样可以确保MOS半导体在制备时，因热处理而让不同阱层粘接强度不足的问题得到弥补，从而使得该MOS器件能适应更高的温度。
本实用新型一种具有较低导通电阻的VDMOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种具有较低导通电阻的VDMOSFET器件，其特征在于，包括由若干个MOS元胞并列构成的VDMOSFET结构，所述VDMOSFET结构的底层表面欧姆连接有漏极1，所述VDMOSFET结构的顶层表面欧姆连接有源极4；单个所述MOS元胞的半导体层与源极4之间嵌设有栅极6，其栅极6高度占VDMOSFET结构厚度的13；所述MOS元胞包括衬底层2、扩散层3、P阱层以及N阱层，其中N阱层与扩散层3之间通过P阱层隔断；所述N阱层包括轻掺杂N阱一7、重掺杂N阱一8以及重掺杂N阱二9；所述P阱层包括轻掺杂P阱一10、重掺杂P阱一11、重掺杂P阱二12以及轻掺杂P阱二13；所述扩散层3的内部离子注入成型有掺杂N阱三14，所述掺杂N阱三14与轻掺杂P阱二13欧姆接触。
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