深圳市优纳瑞半导体有限公司付建峰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市优纳瑞半导体有限公司申请的专利一种MOS场效应晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928732U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421673541.6，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种MOS场效应晶体管是由付建峰;项继超;伏榕设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOS场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请涉及MOS场效应晶体管，涉及半导体技术领域，其包括漏极衬底、有源层以及源极层，所述漏极衬底上形成有外延层，所述外延层内形成有多个间隔开设置的隔离沟槽，所述隔离沟槽的侧壁面的多个部分区域分别朝所述隔离沟槽内凸设，所述隔离沟槽内形成有隔离栅电极；所述有源层形成于所述外延层内，且所述有源层包括位于每个所述隔离沟槽两侧的沟道；所述源极层形成于所述有源层上。本申请一方面可以有效地改变电场分布，使得电场在沟道区域更加均匀分布。这种均匀的电场分布有助于减少局部电场的增强效应，从而降低局部过热的风险；另一方面可以使电子流经沟道的表面积增加，有助于散热，也减少了局部过热的风险。
本实用新型一种MOS场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种MOS场效应晶体管，其特征在于，包括：漏极衬底100，所述漏极衬底100上形成有外延层110，所述外延层110内形成有多个间隔开设置的隔离沟槽120，所述隔离沟槽120的侧壁面的多个部分区域分别朝所述隔离沟槽120内凸设，所述隔离沟槽120内形成有隔离栅电极130；有源层200，所述有源层200形成于所述外延层110内，且所述有源层200包括位于每个所述隔离沟槽120两侧的沟道a；源极层300，所述源极层300形成于所述有源层200上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市优纳瑞半导体有限公司，其通讯地址为：518110 广东省深圳市龙华区龙华街道富康社区民清路光辉科技园厂房2栋1层105；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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