深圳真茂佳半导体有限公司康剑获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳真茂佳半导体有限公司申请的专利耗尽型与增强型GaN单片集成器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928735U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421678780.0，技术领域涉及：H10D84/82；该实用新型耗尽型与增强型GaN单片集成器件是由康剑;任炜强设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本耗尽型与增强型GaN单片集成器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件领域,尤其涉及一种耗尽型与增强型GaN单片集成器件，其包括衬底；缓冲层，缓冲层形成于衬底上；增强型器件，增强型器件包括第一沟道层、第一势垒层、第一栅极电极以及第一栅极金属，耗尽型器件，耗尽型器件包括第二沟道层、第二势垒层、第二栅极电极以及第二栅极金属；隔离层，隔离层位于增强型器件与耗尽型器件之间，隔离层用于使增强型器件的第一沟道层、第一势垒层以及第一栅极金属与耗尽型器件的第二沟道层、第二势垒层以及第二栅极金属隔离。本申请具有提高GaN器件的集成度，并且使得增强型器件和耗尽型器之间不易相互干扰的效果。
本实用新型耗尽型与增强型GaN单片集成器件在权利要求书中公布了：1.一种耗尽型与增强型GaN单片集成器件，其特征在于：包括：衬底1；缓冲层3，所述缓冲层3形成于衬底1上；增强型器件4，所述增强型器件4包括第一沟道层41、第一势垒层42、第一栅极电极以及第一栅极金属，所述第一沟道层41形成于缓冲层3上，所述第一势垒层42形成于缓冲层3上，所述第一栅极电极形成于所述第一势垒层42上，所述第一栅极金属形成于第一栅极电极上；耗尽型器件5，所述耗尽型器件5包括第二沟道层51、第二势垒层52、第二栅极电极以及第二栅极金属，所述第二沟道层51形成于缓冲层3上，所述第二势垒层52形成于缓冲层3上，所述第二栅极电极形成于所述第二势垒层52上，所述第二栅极金属形成于第二栅极电极上；隔离层6，所述隔离层6位于增强型器件4与耗尽型器件5之间，所述隔离层6用于使增强型器件4的第一沟道层41、第一势垒层42以及第一栅极金属与耗尽型器件5的第二沟道层51、第二势垒层52以及第二栅极金属隔离。
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