江西立讯智造有限公司杨曼获国家专利权
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龙图腾网获悉江西立讯智造有限公司申请的专利一种防反防烧电路及USB-C连接器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928096U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421618056.9，技术领域涉及：H02H11/00；该实用新型一种防反防烧电路及USB-C连接器是由杨曼;刘慧敏设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种防反防烧电路及USB-C连接器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种防反防烧电路及USB‑C连接器，防反防烧电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、微控制单元和温度传感器；温度传感器设置于VBUS端口，第一NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极，并共同连接第一VBUS端口；第一NMOS管的源极连接第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极；第一PMOS管的源极连接第二PMOS管的源极；第二PMOS管的漏极连接第二VBUS端口。该防反防烧电路中，在VBUS端口的温度大于阈值温度时，微控制单元向第一NMOS管的栅极输出高电平。
本实用新型一种防反防烧电路及USB-C连接器在权利要求书中公布了：1.一种防反防烧电路，其特征在于，所述防反防烧电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、微控制单元和温度传感器；所述温度传感器设置于VBUS端口，用于采集所述VBUS端口的温度；所述微控制单元的信号输入端连接所述温度传感器，所述微控制单元的信号输出端连接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极共同连接第一VBUS端口；所述第一NMOS管的源极连接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极；所述第二PMOS管的漏极连接第二VBUS端口；所述微控制单元用于在所述VBUS端口的温度大于阈值温度时，向所述第一NMOS管的栅极输出高电平；所述第一NMOS管在所述高电平作用下导通，所述第二PMOS管截止，所述第一PMOS管导通。
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