北京怀柔实验室刘瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利门极换流晶闸管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410900723.0，技术领域涉及：H10D18/01；该发明授权门极换流晶闸管芯片及其制备方法是由刘瑞;王凝一;魏晓光;焦倩倩;王耀华;李玲;吴沛飞;唐新灵设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本门极换流晶闸管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种门极换流晶闸管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述门极换流晶闸管芯片的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；向衬底的上表面进行第一型掺杂形成第一型基区，向衬底的下表面进行第一型掺杂形成第一型阳极区；向第一型基区的上表面进行第一型离子注入，通过调节注入角度和或注入掩膜版开口大小，形成纵向和横向变掺杂且具有预设掺杂浓度的第一型掺杂基区；向第一型掺杂基区的上表面进行第二型杂质扩散，形成第二型掺杂发射区；于第一型阳极区的下表面进行第一型离子注入，形成第一型掺杂发射区。本公开可以提升器件的关断性能。
本发明授权门极换流晶闸管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种门极换流晶闸管芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；向所述衬底的上表面进行第一型掺杂形成第一型基区；向所述第一型基区的上表面进行第一型离子注入，通过调节注入角度和或注入掩膜版开口大小，形成纵向和横向变掺杂且具有预设掺杂浓度的第一型掺杂基区；向所述第一型掺杂基区的上表面进行第二型杂质扩散，形成第二型掺杂发射区；于所述衬底的下表面形成第一型掺杂发射区；于所述第一型掺杂基区的上表面形成门极电极；于所述第二型掺杂发射区的上表面形成阴极；于所述第一型掺杂发射区的下表面形成阳极；其中，所述门极换流晶闸管芯片的阴极环与门极接触环的距离越远，所述预设掺杂浓度越低，从而调节反方向电阻的不均匀性来平衡门极电阻的不均匀性；所述第一型掺杂基区包括沿所述横向分布的具有不同所述预设掺杂浓度的多个子掺杂区；沿所述横向间隔分布的多个所述第二型掺杂发射区与多个所述子掺杂区一对一设置。
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