中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)郑高铭获国家专利权
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龙图腾网获悉中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)申请的专利一种碳化硅MOSFET半桥驱动保护电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928288U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421558894.1，技术领域涉及：H02M1/32；该实用新型一种碳化硅MOSFET半桥驱动保护电路是由郑高铭;孙峰;李欢;胡雅婷;刘京;刘羽捷设计研发完成，并于2024-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅MOSFET半桥驱动保护电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种碳化硅MOSFET半桥驱动保护电路，包括第一驱动电路和第二驱动电路，第一驱动电路和第二驱动电路均与电压转换电路模块和桥臂互锁逻辑模块连接，第一驱动电路还与第一隔离电源模块、第一驱动电阻Rg和碳化硅MOSFETQ1均连接，第二驱动电路还与第二隔离电源模块、第二驱动电阻Rg和碳化硅MOSFETQ2均连接，桥臂互锁逻辑模块还与电压转换电路模块连接；本实用新型能同时驱动上下桥臂两只碳化硅MOSFET，并同时将电源与信号进行隔离，增强了系统的鲁棒性；此外该电路集成了桥臂互锁、欠压锁定、退饱和保护以及有源米勒钳位保护等功能，极大程度保护了碳化硅MOSFET在意外情况下造成的损坏。
本实用新型一种碳化硅MOSFET半桥驱动保护电路在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET半桥驱动保护电路，其特征在于：包括第一驱动电路和第二驱动电路，所述第一驱动电路和第二驱动电路均与电压转换电路模块和桥臂互锁逻辑模块连接，第一驱动电路还与第一隔离电源模块、第一驱动电阻Rg和碳化硅MOSFETQ1均连接，第二驱动电路还与第二隔离电源模块、第二驱动电阻Rg和碳化硅MOSFETQ2均连接；所述第一隔离电源模块、第二隔离电源模块和电压转换电路模块还均与供电电源连接；所述桥臂互锁逻辑模块还与电压转换电路模块和脉冲信号端连接。
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