中环领先半导体科技股份有限公司黄飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410852571.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权外延片及其制备方法是由黄飞;谢路肖;吴秀秀;王彦君;陈海波设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种外延片及其制备方法，属于半导体制造技术领域。一种外延片，包括：衬底；碳化硅晶格适配层，位于衬底的一侧；成核层，位于晶格适配层远离衬底的一侧；其中，衬底具有第一面内晶格常数d1，碳化硅晶格适配层具有第二面内晶格常数d2，成核层具有第三面内晶格常数d3，满足：|d3‑d2||d3‑d1|。本申请通过在衬底和成核层之间设置碳化硅晶格适配层，并控制第一面内晶格常数d1、第二面内晶格常数d2以及第三面内晶格常数d3，满足：|d3‑d2||d3‑d1|，可以改善成核层与衬底之间的晶格失配，从而降低成核层的缺陷密度，提升外延片的晶体质量。
本发明授权外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延片的制备方法，其特征在于，包括：将衬底（1）放置在反应腔内，所述衬底（1）的材质为硅；在所述衬底（1）的一侧形成碳化硅晶格适配层（2）；在所述碳化硅晶格适配层（2）远离所述衬底（1）的一侧形成成核层（3）；其中，所述衬底（1）具有第一面内晶格常数d1，所述碳化硅晶格适配层（2）具有第二面内晶格常数d2，所述成核层（3）具有第三面内晶格常数d3，满足：|d3-d2||d3-d1|；其中，在所述衬底（1）的一侧形成碳化硅晶格适配层（2）的步骤，包括：向所述反应腔内通入第一硅源；关闭所述第一硅源，向所述反应腔内通入碳源；关闭所述碳源，继续向所述反应腔内通入第二硅源，通过交替通入所述碳源和所述第二硅源，以在所述衬底（1）的一侧形成碳化硅晶格适配层（2）。
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