武汉羿变电气有限公司毛锦进获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉羿变电气有限公司申请的专利一种斩波半桥功率模块的封装体获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222928265U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421457461.7，技术领域涉及：H02M1/00；该实用新型一种斩波半桥功率模块的封装体是由毛锦进;李玉林;李宇雄;范景轩;陈材;康勇设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种斩波半桥功率模块的封装体在说明书摘要公布了：本申请提供一种斩波半桥功率模块的封装体，包括：若干个功率半导体芯片设置于基板上，且若干个功率半导体芯片相对于基板的上表面的对称轴呈轴对称关系；漏极功率接线柱，连接至若干个金属氧化物半导体场效应管芯片的漏极，漏极功率接线柱设置于基板的上表面且相对于基板的上表面的对称轴呈轴对称关系；源极功率接线柱，连接至若干个金属氧化物半导体场效应管芯片的功率源极，源极功率接线柱设置于基板的上表面且相对于基板的上表面的对称轴呈轴对称关系；二极管功率接线柱，连接至若干个二极管芯片的阴极，二极管功率接线柱设置于基板的上表面且相对于基板的上表面的对称轴呈轴对称关系，能够有效降低主功率换流回路的寄生电感。
本实用新型一种斩波半桥功率模块的封装体在权利要求书中公布了：1.一种斩波半桥功率模块的封装体，其特征在于，包括：基板；若干个功率半导体芯片，设置于所述基板上，且所述若干个功率半导体芯片相对于所述基板的上表面的对称轴呈轴对称关系；其中，所述若干个功率半导体芯片包括若干个金属氧化物半导体场效应管芯片和若干个二极管芯片；漏极功率接线柱，连接至所述若干个金属氧化物半导体场效应管芯片的漏极，所述漏极功率接线柱设置于所述基板的上表面且相对于所述基板的上表面的对称轴呈轴对称关系；源极功率接线柱，连接至所述若干个金属氧化物半导体场效应管芯片的功率源极，所述源极功率接线柱设置于所述基板的上表面且相对于所述基板的上表面的对称轴呈轴对称关系；二极管功率接线柱，连接至所述若干个二极管芯片的阴极，所述二极管功率接线柱设置于所述基板的上表面且相对于所述基板的上表面的对称轴呈轴对称关系。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉羿变电气有限公司，其通讯地址为：430200 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2-2021；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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