北京怀柔实验室王耀华获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118486714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410814766.7，技术领域涉及：H10D18/65；该发明授权半导体结构及其制造方法是由王耀华;魏晓光;高明超;李立;刘瑞;李玲;苑广安;唐新灵;李宋伟;纪瑞朗;吴沛飞设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：基区、阴极区、阴极电极和至少两个门极电极；阴极区位于基区的一侧的中央位置；阴极区的至少部分嵌设于基区内；阴极电极位于阴极区背离基区的一侧并与阴极区电性连接；阴极电极覆盖阴极区的至少部分表面；其中，阴极区未被阴极电极覆盖的表面与基区靠近阴极区的表面平齐；至少两个门极电极位于基区靠近阴极区的一侧，并在第一方向上分布于阴极区的两侧；门极电极与基区电性连接。本申请能够在保证芯片的关断能力和阻断电压的基础上，有效降低芯片的导通压降，从而有利于提升半导体器件的性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基区；阴极区，位于所述基区的一侧的中央位置；所述阴极区的至少部分嵌设于所述基区内；所述阴极区包括突出于所述基区外的阴极台面；所述阴极台面与所述阴极区嵌设于所述基区内的部分形成台阶结构；阴极电极，位于所述阴极区背离所述基区的一侧并与所述阴极区电性连接；所述阴极电极覆盖所述阴极台面背离所述基区的表面；其中，所述阴极区未被所述阴极电极覆盖的表面与所述基区靠近所述阴极区的表面平齐；至少两个门极电极，位于所述基区靠近所述阴极区的一侧，并在第二方向上分布于所述阴极区的两侧；所述门极电极与所述基区电性连接；其中，所述阴极电极垂直于所述基区且朝向相邻所述门极电极的侧表面与所述阴极台面垂直于所述基区且朝向相邻所述门极电极的侧表面平齐。
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