珠海镓未来科技有限公司赵承贤获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海镓未来科技有限公司申请的专利一种顶部散热表贴式封装结构的功率氮化镓HEMT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222927474U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421415883.8，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型一种顶部散热表贴式封装结构的功率氮化镓HEMT器件是由赵承贤;张文理设计研发完成，并于2024-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种顶部散热表贴式封装结构的功率氮化镓HEMT器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率氮化镓HEMT器件的顶部散热表贴式封装结构，包括功率氮化镓HEMT芯片、载片台、栅极引脚、开尔文源极引脚、源极引脚和漏极引脚。其中，载片台贴片区域通过焊料或者其它方式与功率氮化镓HEMT芯片进行连接，且通过金属键合组件与功率氮化镓HEMT芯片的源极进行连接。源极引脚直接与载片台相连，开尔文源极引脚可以选择与载片台相连或分离。栅极和漏极引脚通过金属键合组件连接功率氮化镓HEMT芯片的栅极和漏极。载片台与贴片区域相反的一面在封装体顶部露出，形成散热基板，各个引脚向散热基板相反的一侧成型，用于电路板焊接组装。如此，功率氮化镓HEMT器件可实现顶部散热结构，提高散热效率及可靠性。
本实用新型一种顶部散热表贴式封装结构的功率氮化镓HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种顶部散热表贴式封装结构的功率氮化镓HEMT器件，其特征在于，包括：功率氮化镓HEMT芯片，具有相对设置的芯片正面和芯片背面，所述芯片正面具有源极、栅极和漏极；引线框架，包括载片台、栅极引脚、至少一个漏极引脚和至少一个源极引脚，所述载片台直接与各个所述源极引脚相连，所述功率氮化镓HEMT芯片的源极通过第一金属键合组件连接所述源极引脚，且连接所述芯片背面；所述栅极引脚通过第二金属键合组件连接所述栅极，所述漏极引脚通过第三金属键合组件连接所述漏极；其中，所述栅极引脚、所述漏极引脚和所述源极引脚均沿第一方向弯折，所述第一方向为所述载片台指向所述功率氮化镓HEMT芯片的方向。
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