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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种二维材料微图案阵列大面积印刷及转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118726934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410792419.9，技术领域涉及：C23C16/01；该发明授权一种二维材料微图案阵列大面积印刷及转移方法是由李洋;韩宇设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维材料微图案阵列大面积印刷及转移方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维材料微图案阵列大面积印刷及转移方法。方法包括：制备二维材料分散液；将刻有目标二维材料微图案的掩模版固定贴附在多孔聚合物滤膜上；通过真空抽滤装置将二维材料分散液进行抽滤和沉积后获得带有目标二维材料微图案的多孔聚合物滤膜；将目标二维材料微图案自多孔聚合物滤膜印刷在目标基底上，将目标基底翻转后脱离多孔聚合物滤膜完成转移。本发明提出的二维材料微图案阵列的印刷及在不同基底上转移的方法操作简单、转移效率高且成本低，可以实现二维材料微图案阵列大面积、高精度、无缺陷、图案化的二维材料制造及不同基底上的无污染转移。

本发明授权一种二维材料微图案阵列大面积印刷及转移方法在权利要求书中公布了：1.一种二维材料微图案阵列大面积印刷及转移方法，其特征在于，包括如下步骤：1将二维材料纳米片均匀分散在溶剂（4）中获得二维材料分散液（1），溶剂（4）采用碱性水溶液或有机溶剂；2将润湿的刻有目标二维材料微图案的掩模版（2）固定贴附在润湿的多孔聚合物滤膜（3-3）上；3通过真空抽滤装置抽滤出二维材料分散液（1）中的溶剂（4），同时二维材料分散液（1）中的二维材料纳米片基于掩模版（2）在多孔聚合物滤膜（3-3）上形成目标二维材料微图案，从而获得半润湿状态的带有目标二维材料微图案的多孔聚合物滤膜（3-3）；4使用真空吸盘（8）将半润湿状态的带有目标二维材料微图案的多孔聚合物滤膜（3-3）取下并固定，将目标基底（6）进行亲水处理后贴附在多孔聚合物滤膜（3-3）上，在外力辅助和真空吸盘（8）的真空吸力共同作用下将目标二维材料微图案印刷在目标基底（6）上，将目标基底（6）翻转后脱离多孔聚合物滤膜（3-3），获得带有目标二维材料微图案的目标基底（6），完成目标二维材料微图案的转移；所述的步骤1中，二维材料纳米片采用的材料为二维过渡金属碳化物氮化物MXenes、二维过渡金属硫族化合物TMDs、三五族半导体材料、黑磷、三维拓扑绝缘体材料、磁性拓扑绝缘体材料、二维磁性材料或准一维晶体材料；所述的步骤1中，二维材料分散液（1）的质量浓度为0.1-1.0mgmL；目标二维材料微图案的特征尺寸在10-1000μm之间；目标基底采用的材料为玻璃、硅晶圆、石英、有机玻璃、金属、聚二甲基硅氧烷PDMS或液晶弹性体；目标基底的形状为平面或曲面；对多孔聚合物滤膜（3-3）表面氟化的提高疏水性的表面改性处理使得多孔聚合物滤膜（3-3）表面的接触角大于90°但孔道内部的接触角小于90°；利用真空压力辅助的方式将二维材料分散液（1）中的溶剂（4）抽离后，二维材料纳米片透过掩模版（2）的镂空区域均匀致密地沉积在多孔聚合物滤膜（3-3）上，以进行二维材料微图案的印刷；目标二维材料微图案与多孔聚合物滤膜（3-3）之间的范德华力小于目标二维材料微图案与目标基底（6）间的范德华力，将目标基底（6）贴附在目标二维材料微图案上，保压预设时间段后翻转取下，目标二维材料微图案从多孔聚合物滤膜（3-3）向目标基底（6）的转移；在印刷前对掩模版（2）作选择性亲水处理，以改善掩模版（2）表面及掩模版（2）沟槽区域的亲水性。

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