同创普润(上海)机电高科技有限公司;同创(丽水)特种材料有限公司姚力军获国家专利权
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龙图腾网获悉同创普润(上海)机电高科技有限公司;同创(丽水)特种材料有限公司申请的专利一种磁场屏蔽环结构及包括其的双枪电子束熔炼炉获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222941127U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422009117.8，技术领域涉及：H05K9/00；该实用新型一种磁场屏蔽环结构及包括其的双枪电子束熔炼炉是由姚力军;李桂鹏;刘振远;李志鹏;雷嘉文;李中华;周松龄;李辑德设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁场屏蔽环结构及包括其的双枪电子束熔炼炉在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种磁场屏蔽环结构及包括其的双枪电子束熔炼炉，所述磁场屏蔽环结构包括筒体，所述筒体为中空结构，所述筒体的一端靠近边缘处周向均布有至少三个开孔，所述筒体的另一端靠近中心处周向均布有至少三个通孔，所述开孔和所述通孔相对设置；所述通孔的中心和所述开孔的中心之间的距离为150～160mm。本实用新型通过设计磁场屏蔽环结构，使得在垂直熔炼阶段，双枪电子束受到的磁场干扰始终保持在熔炼前期、中期的同等水平，且保持在人工操作的可控范围内，从而降低操作难度，有效提高电子束炉的操作性，很大程度上减少设备事故，保证原料熔化区域和熔池区域温度的均匀性，稳定垂直熔炼工艺，提高产品质量。
本实用新型一种磁场屏蔽环结构及包括其的双枪电子束熔炼炉在权利要求书中公布了：1.一种磁场屏蔽环结构，其特征在于，所述磁场屏蔽环结构包括筒体，所述筒体为中空结构，所述筒体的一端靠近边缘处周向均布有至少三个开孔，所述筒体的另一端靠近中心处周向均布有至少三个通孔，所述开孔和所述通孔相对设置；所述通孔的中心和所述开孔的中心之间的距离为150～160mm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人同创普润(上海)机电高科技有限公司;同创(丽水)特种材料有限公司，其通讯地址为：201401 上海市奉贤区南桥镇环城北路1288号9幢1层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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