安徽长飞先进半导体股份有限公司罗成志获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119029043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411128717.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆是由罗成志;钟敏;伍术设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆。功率器件包括：衬底以及设置于衬底一侧的外延层；外延层远离所述衬底的表面设置有源极沟槽、栅极沟槽、第一层和第二层；其中，所述第二层位于所述第一层远离所述衬底的一侧；所述源极沟槽内设置有电场屏蔽层；所述第一层和所述第二层位于所述电场屏蔽层和所述栅极沟槽之间；所述电场屏蔽层和所述第一层之间设置有阻隔结构；所述阻隔结构用于阻挡所述电场屏蔽层的离子向所述第一层扩散。本发明实施例可以避免电场屏蔽层的离子扩散至沟道区域造成阈值电压漂移，提升碳化硅功率器件的性能。
本发明授权功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底以及设置于衬底一侧的外延层；所述外延层远离所述衬底的表面设置有源极沟槽、栅极沟槽、第一层和第二层；其中，所述第二层位于所述第一层远离所述衬底的一侧，所述第一层的导电类型和所述第二层的导电类型不同，所述第二层的导电类型与所述外延层的导电类型相同；所述源极沟槽内设置有电场屏蔽层；所述第一层和所述第二层位于所述电场屏蔽层和所述栅极沟槽之间；所述电场屏蔽层和所述第一层之间设置有阻隔结构；所述阻隔结构用于阻挡所述电场屏蔽层的离子向所述第一层扩散。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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