上海积塔半导体有限公司孙晓涵获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利工艺腔室获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222939875U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421997788.3，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型工艺腔室是由孙晓涵;拉海忠;闫晓晖设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本工艺腔室在说明书摘要公布了：本公开涉及一种工艺腔室，工艺腔室包括腔室本体以及加热机构；腔室本体包括工艺腔，腔室本体的侧壁设有容置槽，容置槽与工艺腔连通；加热机构可移动地设置于腔室本体，加热机构被设置为在容置槽与工艺腔之间移动。本新型的工艺腔室，加热机构可移动地设置于腔室本体，可以在干法化学预清洁中移动加热机构替代晶片移动，从而避免晶片频繁移动，避免晶片发生位移；同时，在刻蚀过程中，将加热机构移动至容置槽内，能够避免加热机构加热产生的热气流影响化学反应的进行，有利于加强对干法化学预清洁的控制。
本实用新型工艺腔室在权利要求书中公布了：1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：腔室本体（10），所述腔室本体（10）包括工艺腔（11），所述腔室本体（10）的侧壁设有容置槽（12），所述容置槽（12）与所述工艺腔（11）连通；以及加热机构（20），可移动地设置于所述腔室本体（10），所述加热机构（20）被设置为在所述容置槽（12）与所述工艺腔（11）之间移动。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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