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龙图腾网获悉成都群芯微电子科技有限公司申请的专利RISC-V矢量段写指令处理方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118981337B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411116915.9，技术领域涉及：G06F9/30；该发明授权RISC-V矢量段写指令处理方法及装置是由胡世文;薛大庆设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本RISC-V矢量段写指令处理方法及装置在说明书摘要公布了：本说明书涉及计算机技术领域，具体地公开了一种RISC‑V矢量段写指令处理方法及装置，其中，该方法包括：响应于矢量段写指令，将多个源寄存器中的元数据组装成段数据，并将所述段数据暂存在临时架构寄存器中；所述段数据包括多个元数据；所述临时架构寄存器为CPU内核实现中定义的架构寄存器，仅用于在一条指令内部暂存数据和传递数据；将所述临时架构寄存器中的段数据写入内存或缓存中。上述方案通过使用临时架构寄存器转换段数据，以段数据而非元数据为粒度将数据写入内存，以增加矢量寄存器之间数据传递为代价，降低了缓存内存访问次数，从而提高了CPU内核性能并降低了访问缓存内存的功耗。

本发明授权RISC-V矢量段写指令处理方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种RISC-V矢量段写指令处理方法，其特征在于，包括：响应于矢量段写指令，将多个源寄存器中的元数据组装成段数据，并将所述段数据暂存在临时架构寄存器中；所述段数据包括多个元数据；所述临时架构寄存器为CPU内核实现中定义的架构寄存器，仅用于在一条指令内部暂存数据和传递数据；将所述临时架构寄存器中的段数据写入内存或缓存中；其中，所述方法还包括：获取矢量段写指令的多个参数；所述多个参数包括：地址计算模式、寄存器组长度、段数据中所包含的元数据个数、元数据宽度、CPU内核支持的矢量寄存器宽度、以及CPU内核支持的缓存读取宽度；基于所述多个参数对所述矢量段写指令进行译码，得到多条微指令；所述多条微指令包括：整型数值读取微指令、段转置微指令、段写地址计算微指令和段写数据读取微指令；相应的，将多个源寄存器中的元数据组装成段数据，并将所述段数据暂存在临时架构寄存器中，包括：执行所述段转置微指令，以从多个源寄存器中读取元数据并将读取的元数据按段存储至第二临时架构寄存器中；相应的，将所述临时架构寄存器中的段数据写入内存或缓存中，包括：执行所述整型数值读取微指令，以从整型架构寄存器读取地址基础值或者地址基础值和偏移值并存储至第一临时架构寄存器中；执行所述段写地址计算微指令，以根据所述地址计算模式读取所述第一临时架构寄存器或者矢量寄存器中的地址信息，并根据读取的地址信息进行地址生成和地址翻译访问，得到物理地址数据，并将所述物理地址数据写入存储队列中的第一存储队列项；执行所述段写数据读取微指令，以从所述第二临时架构寄存器中读取段数据并写入所述存储队列中的第二存储队列项；在所述矢量段写指令退休后，按照所述第一存储队列项中的物理地址数据，将所述第二存储队列项中的段数据写入内存或缓存中。

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