上海积塔半导体有限公司李雨朋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利晶圆吸附装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222939905U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421964477.7，技术领域涉及：H01L21/683；该实用新型晶圆吸附装置是由李雨朋;李治锴;蒋发昌设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆吸附装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种晶圆吸附装置，包括晶圆吸盘、承托基体和机台气路，通过对吸附气路产生负压，从而对晶圆吸盘材料内部的孔隙进行吸附，进而在晶圆吸盘与晶圆接触的表面产生负压，且通过呈同心环状布置的内吸附区和外吸附区，实现对带有Taiko环的晶圆实现分区吸附，通过分别调整内吸附区和外吸附区的吸附力度，减缓甚至避免晶圆中间区域受力凹陷，因此可以减缓甚至避免由此导致的晶圆的晶圆减薄区域破裂的问题，此外，还可以对外周翘曲变形的晶圆进行分区吸附，通过调整内吸附区和外吸附区的吸附力度，使得外周翘曲晶圆的表面与晶圆吸盘之间真空贴合，解决由于翘曲晶圆无法被吸附而影响后续工艺的问题。
本实用新型晶圆吸附装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆吸附装置，其特征在于，所述晶圆吸附装置包括：晶圆吸盘、承托基体和机台气路；所述晶圆吸盘包括内吸附区和外吸附区，所述内吸附区和所述外吸附区呈同心环状布置，所述内吸附区和所述外吸附区间隔设置；所述承托基体用于承载所述晶圆吸盘，所述晶圆吸盘的背面固定于所述承托基体上；所述机台气路包括若干条吸附气路和两条以上主管路，所述吸附气路包括位于所述外吸附区下方的外吸附气路和位于所述内吸附区下方的内吸附气路；所述承托基体的内部设置若干个吸附气槽，所述吸附气槽与所述晶圆吸盘的背面连通，若干条所述吸附气路一一对应容置于若干个所述吸附气槽内，所述外吸附气路与所述内吸附气路连通于不同的所述主管路，使得所述机台气路可独立对所述内吸附区和所述外吸附区形成负压，进而对所述晶圆实现分区吸附。
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