南京磊帮半导体科技有限公司芦红获国家专利权
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龙图腾网获悉南京磊帮半导体科技有限公司申请的专利一种太赫兹光电导天线器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222940199U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421949767.4，技术领域涉及：H01Q1/38；该实用新型一种太赫兹光电导天线器件是由芦红;张莉设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太赫兹光电导天线器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种太赫兹光电导天线器件，包含超快光电导材料结构和金属天线结构，超快光电导材料结构包括衬底层和稀土掺杂的In1‑x‑yGaxAlyAs半导体功能层，其中在稀土掺杂的In1‑x‑yGaxAlyAs半导体功能层中，稀土材料以岛状结构分布，且稀土材料形成与衬底层平行的多层状排列。本实用新型通过将稀土材料共沉积到In1‑x‑yGaxAlyAs半导体中，实现了超快非平衡载流子捕获过程的同时，同时通过微加工工艺以及金属蒸镀工艺实现金属天线的图形化，可实现基于光电导天线的太赫兹发射和探测器件。
本实用新型一种太赫兹光电导天线器件在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹光电导天线器件，其特征在于，包含超快光电导材料结构和金属天线结构，所述超快光电导材料结构包括衬底层和稀土掺杂的In1-x-yGaxAlyAs半导体功能层，其中在所述稀土掺杂的In1-x-yGaxAlyAs半导体功能层中，稀土材料以岛状结构分布，且所述稀土材料形成与所述衬底层平行的多层状排列，所述金属天线结构位于所述稀土掺杂的In1-x-yGaxAlyAs半导体功能层的表面。
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