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成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司张春生获国家专利权

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龙图腾网获悉成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司申请的专利一种低触发电压的ESD保护器件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222941147U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421952778.8,技术领域涉及:H10D89/60;该实用新型一种低触发电压的ESD保护器件是由张春生;张鹏;杨珏林;宋文龙;陈城;刘湘;许志峰设计研发完成,并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低触发电压的ESD保护器件在说明书摘要公布了:本实用新型涉及集成电路静电放电保护领域,具体为一种低触发电压的ESD保护器件,包括SCR单元和辅助触发单元,SCR单元包括P型衬底材料、NW阱区、PW阱区、PSD欧姆接触区和NSD欧姆接触区;P型衬底材料表面形成有钝化介质层,辅助触发单元包括设置于钝化介质层的P型多晶硅和在P型多晶硅的部分区域注入磷离子所形成的N型区,P型多晶硅和对应的N型区构成一个多晶硅二极管;钝化介质层开设有多个孔,PW阱区的PSD欧姆接触区通过孔和金属连接N型区,NW阱区的NSD欧姆接触区通过孔和金属连接P型多晶硅。本实用新型利用多晶硅二极管进行二极管串代替原有的SOI全介质隔离的二极管,有效避免了正偏二极管和SCR单元在同一衬底下的寄生问题,也避免了利用SOI材料进行全介质隔离而SOI材料的价格贵和材料制备难的问题。

本实用新型一种低触发电压的ESD保护器件在权利要求书中公布了:1.一种低触发电压的ESD保护器件,包括SCR单元、辅助触发单元、阳极金属和阴极金属,其特征在于:SCR单元包括P型衬底材料、设置于P型衬底材料的NW阱区和PW阱区以及设置于NW阱区和PW阱区的PSD欧姆接触区和NSD欧姆接触区;P型衬底材料表面形成有钝化介质层,辅助触发单元包括设置于钝化介质层的P型多晶硅和在P型多晶硅的部分区域注入磷离子所形成的N型区,P型多晶硅和对应的N型区构成一个多晶硅二极管;钝化介质层开设有多个孔,PW阱区的一个PSD欧姆接触区和NSD欧姆接触区通过孔连接阴极金属,PW阱区的另一个PSD欧姆接触区通过孔和金属连接N型区;NW阱区的PSD欧姆接触区通过孔连接阳极金属,NW阱区的NSD欧姆接触区通过孔和金属连接P型多晶硅。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司,其通讯地址为:610000 四川省成都市高新区世纪城南路599号6栋5层505号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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