南京国科半导体有限公司宋佩佩获国家专利权
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龙图腾网获悉南京国科半导体有限公司申请的专利一种GaSbxAs1-x空间四节电池外延片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222941161U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421933609.X，技术领域涉及：H10F77/124；该实用新型一种GaSbxAs1-x空间四节电池外延片是由宋佩佩;杨婷;刘胜威设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaSbxAs1-x空间四节电池外延片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电池外延片技术领域，具体涉及一种GaSbxAs1‑x空间四节电池外延片；包括GaSb层、GaAs缓冲层和GaAs衬底，GaSb层、GaAs缓冲层和GaAs衬底从上至下依次设置，GaAs缓冲层的生长所需温度为580℃，GaSb层的生长所需温度为480℃‑560℃，通过研究了GaAs基上大失配GaSb材料的MBE外延生长；采用优化的生长温度与III‑V束流比等关键生长参数，用合适的生长速率得到表面形貌较好的外延样品，为接着生长高质量的GaSbxAs1‑x空间四节电池的外延片打好坚实的基础。
本实用新型一种GaSbxAs1-x空间四节电池外延片在权利要求书中公布了：1.一种GaSbxAs1-x空间四节电池外延片，其特征在于，包括GaSb层、GaAs缓冲层和GaAs衬底，所述GaSb层、所述GaAs缓冲层和所述GaAs衬底从上至下依次设置。
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