买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种适用于超重力离心环境下的柔性薄膜压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119124409B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411050708.8，技术领域涉及：G01L1/16；该发明授权一种适用于超重力离心环境下的柔性薄膜压力传感器是由梁冠文;付浩然;洪成鹏;吴盈;赵哲辉;闫子壮;邱冰静;刘承斌;边学成;屠侠;陆益挺;凌道盛;蒋建群;陈云敏设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于超重力离心环境下的柔性薄膜压力传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于超重力离心环境下的柔性薄膜压力传感器，包括有聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜、两个金属电极和柔性复合封装层，聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜中复合有呈网格线排列的碳纳米线，有效的解决PVDF薄膜在经过极化后出现残余应力释放的问题，进一步的提升了PVDF薄膜抗褶皱的能力，包覆于聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜和金属电极外的柔性复合封装层具有很好的隔热效果，使得柔性薄膜压力传感器不会受到超重力离心机器自身运转以及涉及热量变化较大试验的影响，保证测量的灵敏度和准确度。

本发明授权一种适用于超重力离心环境下的柔性薄膜压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种适用于超重力离心环境下的柔性薄膜压力传感器，其特征在于：包括有聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜、两个金属电极和柔性复合封装层；所述的聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜包括有聚偏氟乙烯基体和填充于聚偏氟乙烯基体内呈网格线排列的多根碳纳米线，聚偏氟乙烯基体包括有位于碳纳米线正下方的下聚偏氟乙烯层和完全填充于碳纳米线网格内且位于碳纳米线正上方的上聚偏氟乙烯层，聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜中碳纳米线正下方的下聚偏氟乙烯层与聚偏氟乙烯块厚度一致，均为M1，碳纳米线的直径为M2,完全填充于碳纳米线网格内且位于碳纳米线正上方的上聚偏氟乙烯层其厚度为M3，聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜的厚度M4为10-50μm，M1、M2和M3三者的比值为15:4:18；所述的两个金属电极分别固定于聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜的两面且相互重叠，聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜位于两个金属电极之间的区域为极化区域；所述的柔性复合封装层为双层结构，双层柔性复合封装层分别粘接于聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜的两面，且双层柔性复合封装层的边缘部均伸出到聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜外且相互粘接固定，使得聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜完全包覆于双层的柔性复合封装层中；每层柔性复合封装层均是由从上至下叠置的上二甲基硅氧烷层、氮化硅薄膜、锗锑碲薄膜、下聚二甲基硅氧烷层复合而成，所述的锗锑碲薄膜为双层结构，上层锗锑碲薄膜和下层锗锑碲薄膜均是由多个锗锑碲块组成，上层锗锑碲薄膜和下层锗锑碲薄膜形成网格状交叉分布结构，即上层锗锑碲薄膜中任意相邻的两个锗锑碲块之间的区域与下层锗锑碲薄膜中的一个锗锑碲块完全重叠，下层锗锑碲薄膜延伸并包覆于下聚二甲基硅氧烷层中，使得下层锗锑碲薄膜中任意相邻的两个锗锑碲块之间填充有聚二甲基硅氧烷，上层锗锑碲薄膜中任意相邻的两个锗锑碲块之间的区域为中空结构，每层柔性复合封装层中下聚二甲基硅氧烷层的底面粘接于聚偏氟乙烯纳米线复合薄膜的表面上，双层的柔性复合封装层中下聚二甲基硅氧烷层底面的边缘部相互粘接固定。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。