台湾积体电路制造股份有限公司林鑫成获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利静态随机存取记忆体单元获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222941141U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421840120.8，技术领域涉及：H10B10/00；该实用新型静态随机存取记忆体单元是由林鑫成;周韬;邱冠颖;刘致为设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本静态随机存取记忆体单元在说明书摘要公布了：静态随机存取记忆体SRAM单元包括第一主动区、第一栅极结构、第二栅极结构、及第一源极漏极接触区。第一栅极结构在第一主动区上方并与第一主动区形成上拉晶体管。第二栅极结构在第一主动区上方并与第一主动区形成写入辅助晶体管。写入辅助晶体管与上拉晶体管是同一导电型。第一源极漏极接触区在写入辅助晶体管的源极漏极及上拉晶体管的源极区漏极上方。
本实用新型静态随机存取记忆体单元在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取记忆体SRAM单元，其特征在于，包含：一第一主动区；一第一栅极结构，在该第一主动区上方并与该第一主动区形成一上拉晶体管；一第二栅极结构，在该第一主动区上方并与该第一主动区形成一写入辅助晶体管，其中该写入辅助晶体管与该上拉晶体管是一相同导电型；及一第一源极漏极接触区，在该写入辅助晶体管的一源极漏极及该上拉晶体管的一源极漏极上方。
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