买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉佛山市海光智能科技有限公司申请的专利一种长时间一次性生长的CVD单晶金刚石的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118880454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410984411.2，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权一种长时间一次性生长的CVD单晶金刚石的制造方法是由徐丰;周健泉;樊海狮设计研发完成，并于2024-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种长时间一次性生长的CVD单晶金刚石的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种长时间一次性生长的CVD单晶金刚石的制造方法，包括如下步骤：1晶种筛选；2晶种预处理；3使用MPCVD设备进行单晶片生长，步骤：a、将晶种置于梯田结构钼样品基片台，放置于MPCVD设备，抽真空，通入H2，点火启辉升温至700‑780℃后通入O2刻蚀60分钟，后通入CH4、N2，微波功率8‑9kw、气压17‑18KPa，保持温度800‑850℃2h；b、调整微波功率9‑9.5kw、气压18‑19KPa，待温度达850‑900℃，通入CH4、N2，保持30分钟，调整微波功率9.5‑10kw、气压19‑20KPa，保持温度1000‑1030℃，按设定时间周期定期根据生长速率控制基片台高度，定期关闭CH4、N2、O2通入刻蚀30分钟，后重新通入CH4、N2、O2恢复生长。实现一次性稳定生长700小时，良品率70％以上，产品厚度达6.0mm。

本发明授权一种长时间一次性生长的CVD单晶金刚石的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种长时间一次性生长的CVD单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：1晶种筛选：使用无缺陷的CVD单晶片作为晶种；2晶种的预处理：将晶种放置于有机溶液，然后清洗；3使用MPCVD设备进行单晶片生长，包括以下步骤：a、将步骤2中晶种置于梯田结构钼样品基片台中，相邻两个晶种摆放间距1mm，并放置于MPCVD设备上，抽真空至1×10-1Pa或以下，通入H2，点火启辉升温至700-780℃后通入O2刻蚀60分钟晶种，之后通入CH4、N2，在MPCVD设备生长，设置微波功率为8-9kw、气压为17-18KPa，保持温度在800-850℃，保持2h；其中，H2的流量为400sccm，O2的流量1sccm，CH4的流量为15sccm，N2的流量为0.5sccm、浓度为10ppm；b、调整微波功率为9-9.5kw、气压为18-19KPa，此时由于微波功率和气压的升高，温度逐渐上升，待温度达到850-900℃时，通入CH4、N2，保持30分钟，调整微波功率为9.5-10kw，调整气压为19-20KPa，保持温度在1000-1030℃，按设定时间周期定期根据生长速率控制基片台的高度，使得等离子球与晶种之间的接触距离保持在设定范围内，定期关闭CH4、N2、O2的通入，关闭期间利用H等离子体进行等离子刻蚀，刻蚀使用的微波功率为9.5-10kw，气压为19-20KPa，刻蚀时间为30分钟，刻蚀结束后重新通入CH4、N2、O2恢复生长，稳定生长500-700小时即得；其中，CH4、N2、O2的流量分别为30sccm、1sccm、1sccm，N2浓度为10ppm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人佛山市海光智能科技有限公司，其通讯地址为：528315 广东省佛山市顺德区乐从镇上华村上华大道2号上华智能智造产业园D区D2座8楼之一；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。