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龙图腾网获悉湖北大学申请的专利一种压控可调自旋波移相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118693490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410975414.X，技术领域涉及：H01P1/19；该发明授权一种压控可调自旋波移相器是由沈茂康;游龙;宋敏;郭喆;唐刘宇设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压控可调自旋波移相器在说明书摘要公布了：本发明提供一种压控可调自旋波移相器，包括：铁磁层，作为自旋波波导传输自旋波；导入层和导出层，位于所述铁磁层上方且分别与所述铁磁层的两端相连，所述导入层用于导入所述自旋波，所述导出层用于导出所述自旋波；压控层，位于所述铁磁层上方且与所述铁磁层的两端之间的位置相连，所述压控层包括绝缘层和金属电极层，所述金属电极层位于所述绝缘层之上，所述压控层用于通过调控所述金属电极层的长度、电压和所述绝缘层的厚度中的一种或多种改变所述自旋波的相位。本发明通过调控金属电极层的长度、电压和绝缘层的厚度来改变自旋波的相位，而且结构简单，容易集成，可用于自旋波芯片和现代通信领域。

本发明授权一种压控可调自旋波移相器在权利要求书中公布了：1.一种压控可调自旋波移相器，其特征在于，包括：铁磁层，作为自旋波波导传输自旋波；导入层和导出层，位于所述铁磁层上方且分别与所述铁磁层的两端相连，所述导入层用于导入所述自旋波，所述导出层用于导出所述自旋波，导入层和导出层为共面波导；压控层，位于所述铁磁层上方且与所述铁磁层的两端之间的位置相连，所述压控层包括绝缘层和金属电极层，所述金属电极层位于所述绝缘层之上，所述压控层用于通过调控所述金属电极层的长度、电压和所述绝缘层的厚度中的一种或多种改变所述自旋波的相位；所述自旋波的相移量根据所述铁磁层的磁性参数、所述自旋波的频率、所述铁磁层和压控层共同决定的磁电系数、所述绝缘层的厚度、所述金属电极层的长度和所述金属电极层的电压确定；所述压控层用于通过以下公式调控所述金属电极层的长度、电压和所述绝缘层的厚度中的一种或多种改变所述自旋波的相位： 其中，为所述自旋波的相移量，N由所述铁磁层的磁性参数和所述自旋波的频率决定，ε为所述铁磁层和压控层共同决定的磁电系数，d为所述绝缘层的厚度，L为所述金属电极层的长度，V为所述金属电极层的电压；N的公式如下： 其中，A为交换常数，μ0为真空磁导率，MS为饱和磁化强度，γ为旋磁比，ω为所述自旋波的角频率，Ki为所述铁磁层中位于所述压控层左侧、下方和右侧各区域的单轴各向异性常数，Keff,i为对应区域的有效单轴各向异性常数，ki为所述铁磁层不同区域中自旋波的波矢，下标i＝1时表示所述铁磁层位于所述压控层左侧区域的相应参数，下标i＝2时表示所述铁磁层位于所述压控层下方区域的相应参数，下标i＝3时表示所述铁磁层位于所述压控层右侧区域的相应参数，所述铁磁层位于所述压控层左侧和右侧的区域完全相同。

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