成都市汉桐集成技术股份有限公司钟立东获国家专利权
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龙图腾网获悉成都市汉桐集成技术股份有限公司申请的专利一种裸芯片老化筛选装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222939165U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421632358.1，技术领域涉及：G01R1/04；该实用新型一种裸芯片老化筛选装置是由钟立东;韩尧;许庭玮设计研发完成，并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种裸芯片老化筛选装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及裸芯片筛选技术领域，具体涉及一种裸芯片老化筛选装置，包括底板，底板上阵列排布设置有多个老化工装，所述老化工装包括：陶瓷基板，所述陶瓷基板上可拆卸连接有框形基座；电源正极组件设置在所述陶瓷基板上，所述电源正极组件连接有液态金属电极Ⅰ，所述液态金属电极Ⅰ位于所述框形基座内；电源负极组件滑动连接在所述框形基座上，所述电源负极组件连接有液态金属电极Ⅱ。本实用新型，通过液态金属电极Ⅰ接入电源正极，同时对裸芯片的下端进行保护，通过液态金属电极Ⅱ接入电源负极，同时对裸芯片的上端进行保护，隔绝了裸芯片通电时的硬接触，避免了激光芯片的裸芯片崩裂的情况发生。
本实用新型一种裸芯片老化筛选装置在权利要求书中公布了：1.一种裸芯片老化筛选装置，包括底板，所述底板上阵列排布设置有多个老化工装，其特征在于，所述老化工装包括：陶瓷基板，所述陶瓷基板上可拆卸连接有框形基座；电源正极组件，所述电源正极组件设置在所述陶瓷基板上，所述电源正极组件连接有液态金属电极Ⅰ，所述液态金属电极Ⅰ位于所述框形基座内，所述液态金属电极Ⅰ用于为保护裸芯片的同时提供电源正极；电源负极组件，所述电源负极组件滑动连接在所述框形基座上，所述电源负极组件连接有液态金属电极Ⅱ，所述液态金属电极Ⅱ对应所述液态金属电极Ⅰ设置，所述液态金属电极Ⅱ用于为保护裸芯片的同时提供电源负极。
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