台湾积体电路制造股份有限公司姜慧如获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222941146U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421605093.6，技术领域涉及：H10D86/60；该实用新型集成装置是由姜慧如设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成装置在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种集成装置包括：布置在衬底上方的第一薄膜晶体管、布置在衬底上方的第二薄膜晶体管、布置在第二薄膜晶体管上方的金属阻障层，其中金属阻障层被配置为阻挡入射辐射到达第二薄膜晶体管、布置在第一薄膜晶体管上方的菲涅尔透镜，其中菲涅尔透镜被配置为将入射辐射聚焦到第一薄膜晶体管，其中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管被配置为耦接到差分放大器，差分放大器是可操作的以通过比较来自第一薄膜晶体管的第一泄漏电流和来自第二薄膜晶体管的第二泄漏电流来检测入射辐射。薄膜晶体管的泄漏电流较低，因此侵入检测电路的功耗也较低。由菲涅尔透镜引起的泄漏电流之间的差异允许侵入检测电路检测出电子设备的侵入。
本实用新型集成装置在权利要求书中公布了：1.一种集成装置，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管，布置在衬底上方；第二薄膜晶体管，布置在所述衬底上方；金属阻障层，布置在所述第二薄膜晶体管上方，其中所述金属阻障层被配置为阻挡入射辐射到达所述第二薄膜晶体管；以及菲涅尔透镜，布置在所述第一薄膜晶体管上方，其中所述菲涅尔透镜被配置为将所述入射辐射聚焦到所述第一薄膜晶体管；以及其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管被配置为耦接到差分放大器，所述差分放大器是可操作的以通过比较来自所述第一薄膜晶体管的第一泄漏电流和来自所述第二薄膜晶体管的第二泄漏电流来检测所述入射辐射。
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