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龙图腾网获悉华东科技股份有限公司申请的专利扇出型晶圆级封装单元获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222939928U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421482862.8，技术领域涉及：H01L23/538；该实用新型扇出型晶圆级封装单元是由于鸿祺;林俊荣;古瑞庭设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本扇出型晶圆级封装单元在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种扇出型晶圆级封装单元，包括载板、至少一裸晶、第一介电层、第二介电层、多条第一导接线路、第三介电层、第四介电层及外护层；其中各第一导接线路是利用先将金属膏填注于凹槽中之后再研磨成型导接线路的技术以在各裸晶的第二面上制作成型；其中各第二导接线路是利用先将金属膏填注于凹槽中之后再研磨成型导接线路的技术以在该第二介电层及多条该第一导接线路上制作成型；其中各裸晶能由该第二面上的芯片区域的周围的各焊垫以对外电性连接，以解决现有的扇出型封装技术在制作各导接线路时易产生较高制造成本且不利于环保的问题。

本实用新型扇出型晶圆级封装单元在权利要求书中公布了：1.一种扇出型晶圆级封装单元，其特征在于，包含：一载板；至少一裸晶，每一该裸晶是自晶圆上所分割而成，每一该裸晶是设在该载板上，每一该裸晶具有一第一面及相对的一第二面，每一该裸晶的该第一面是固定设于该载板上，每一该裸晶的该第二面上具有多个晶垫，且该第二面的垂直芯片区域界定为一芯片区域；一第一介电层，其是设于该载板及每一该裸晶的该第二面上，该第一介电层具有水平方向延伸地成型的多条第一凹槽；其中每一该裸晶的每一该晶垫是由多条该第一凹槽对外露出；一第二介电层，其是设于该第一介电层上，该第二介电层具有水平方向延伸地成型的多条第二凹槽，每一该第二凹槽是与每一该第一凹槽连通；多条第一导接线路，每一该第一导接线路是由填注设于多条该第一凹槽与多条该第二凹槽内的金属膏所构成，每一该第一导接线路是与每一该裸晶的多个该晶垫电性连接；一第三介电层，其是设于该第二介电层上，该第三介电层具有水平方向延伸地成型的多条第三凹槽，每一该第三凹槽是与每一该第二凹槽连通；一第四介电层，其是设于该第三介电层上，该第四介电层具有水平方向延伸地成型的多条第四凹槽，每一该第四凹槽是与每一该第三凹槽连通；多条第二导接线路，每一该第二导接线路是由填注设于多条该第三凹槽与多条该第四凹槽内的金属膏所构成，每一该第二导接线路是与每一该第一导接线路电性连接；及一外护层，其是设于该第四介电层上，该外护层具有多个开口且其中至少两个该开口是位于每一该裸晶的该第二面上的该芯片区域的周围；其中每一该第二导接线路是由多个该开口供对外露出而在每一该开口内形成一焊垫；其中每一该裸晶能够依序经由每一该晶垫、每一该第一导接线路、每一该第二导接线路及位于每一该裸晶的该第二面上的该芯片区域的周围的多个该焊垫以对外电性连接，以此形成该扇出型晶圆级封装单元。

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