台湾积体电路制造股份有限公司吴正翔获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利晶粒堆叠结构以及半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222939929U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421482075.3，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型晶粒堆叠结构以及半导体结构是由吴正翔;谢宗扬;李建璋;庄文栋设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶粒堆叠结构以及半导体结构在说明书摘要公布了：提供半导体结构、晶粒堆叠结构、以及制造方法。在一个实例中，半导体结构包括晶粒，其具有设置于晶粒的前侧上的测试衬垫。测试衬垫具有在测试衬垫的上部部分中的探针标记。探针标记具有在测试衬垫的顶表面处的开口末端、底壁、连接至底壁的侧壁，以及在开口末端、底壁及侧壁之间的空间。半导体结构进一步包括第一覆盖层及第二覆盖层。第一覆盖层设置于第一测试衬垫的前侧以及探针标记的侧壁及底壁上。第二覆盖层设置于第一覆盖层上。第一覆盖层与第二覆盖层包含不同的材料。
本实用新型晶粒堆叠结构以及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一晶粒，具有设置于该晶粒的一前侧上的一测试衬垫，其中该测试衬垫具有在该测试衬垫的一上部部分中的一探针标记，该探针标记具有在该测试衬垫的一顶表面处的一开口末端、一底壁、连接至该底壁的一侧壁，以及该开口末端、该底壁及该侧壁之间的一空间；一第一覆盖层，设置于该测试衬垫的该前侧上及该空间中，以及该探针标记的该侧壁及该底壁上，且该第一覆盖层包含一第一结构；及一第二覆盖层，设置于该第一覆盖层上及该空间中，其中该第二覆盖层包含不同于该第一结构的一第二结构。
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