台湾积体电路制造股份有限公司吕哲俊获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222941145U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421460252.8，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型半导体结构是由吕哲俊;朱益兴;曾嘉毅设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本揭露描述形成具有隔离层围绕部分的栅极结构的半导体结构。半导体结构包含通道结构位于基材上，第一隔离层位于基材上且围绕通道结构，以及栅极结构位于通道结构与第一隔离层上。栅极结构包含具有第一宽度的第一部分、以及具有第二宽度的第二部分，第二宽度小于第一宽度。半导体结构还包含第二隔离层位于第一隔离层上且围绕栅极结构的第一部分。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包含：一通道结构，位于一基材上；一第一隔离层，位于该基材上且围绕该通道结构；一栅极结构，位于该通道结构与该第一隔离层上，其中该栅极结构包含具有一第一宽度的一第一部分以及具有一第二宽度的一第二部分，该第二宽度小于该第一宽度；以及一第二隔离层，位于该第一隔离层上且围绕该栅极结构的该第一部分。
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