北京怀柔实验室王耀华获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118538765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410814788.3，技术领域涉及：H10D18/65；该发明授权功率半导体器件及其制造方法是由王耀华;魏晓光;高明超;李立;李玲;刘瑞;唐新灵;吴沛飞设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括：有源区、门极接触环区和终端区。所述功率半导体器件还包括复合阳极区。复合阳极区包括：位于有源区且沿竖直方向自下而上分布的第一阳极区和第二阳极区，以及位于门极接触环区和终端区的第二阳极区。其中，第二阳极区的掺杂浓度小于第一阳极区的掺杂浓度。第一阳极区包括非连续分布的多个子阳极区，且子阳极区的掺杂区面积随其至门极接触环区的距离增大而减小。本公开能够有效降低漏电流，降低关断损耗，提高关断的均匀性，提高器件关断能力。
本发明授权功率半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：有源区、门极接触环区和终端区；所述功率半导体器件还包括：复合阳极区；所述复合阳极区由位于所述有源区且沿竖直方向自下而上分布的第一阳极区和第二阳极区，以及位于所述门极接触环区和所述终端区的第二阳极区构成；其中，所述第二阳极区的掺杂浓度小于所述第一阳极区的掺杂浓度；所述第一阳极区包括非连续分布的多个子阳极区，且所述子阳极区的掺杂区面积随其至所述门极接触环区的距离增大而减小。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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