北京怀柔实验室唐新灵获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利管壳组件及半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410741465.6，技术领域涉及：H01L23/04；该发明授权管壳组件及半导体封装结构是由唐新灵;魏晓光;林仲康;代安琪;王亮;杜玉杰;李玲;于克凡;王靖飞设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本管壳组件及半导体封装结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种管壳组件及半导体封装结构，其中，管壳组件包括具有第一热膨胀系数的第一电极、具有第二热膨胀系数的过渡环结构以及具有第三热膨胀系数的第一法兰环结构，过渡环结构位于第一电极的周侧边缘，第一法兰环结构固定连接于过渡环结构朝向第一电极的一侧表面；第二热膨胀系数介于第一热膨胀系数和第三热膨胀系数之间。本申请在提高散热能力的基础上降低了管壳组件制造时的热应力失配，提高了管壳密封的可靠性，在确保气密性合格的基础上提高了半导体器件以及半导体封装结构的使用寿命。
本发明授权管壳组件及半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种管壳组件，其特征在于，包括：第一电极，所述第一电极具有第一热膨胀系数；过渡环结构，所述过渡环结构位于所述第一电极的周侧边缘；其中，所述过渡环结构具有第二热膨胀系数；第一法兰环结构，所述第一法兰环结构设于所述过渡环结构朝向所述第一电极的一侧表面，且与所述过渡环结构固定连接，所述第一法兰环结构具有第三热膨胀系数；其中，所述第二热膨胀系数的取值范围介于所述第一热膨胀系数和所述第三热膨胀系数之间；所述过渡环结构包括支撑部以及与所述支撑部连接且沿第一方向延伸的过渡部；其中，所述第一法兰环结构设于所述过渡部朝向所述第一电极的一侧表面，所述第一方向与所述第一电极所在平面平行；所述过渡部的宽度大于或等于1.5mm，且所述过渡部的宽度小于或等于一设定宽度，所述设定宽度为所述第一法兰环结构的外径与内径之差。
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