天合光能股份有限公司殷志豪获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池电极的制作方法以及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118538830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410696472.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池电极的制作方法以及太阳能电池是由殷志豪;李宏伟;雍文炯;杨广涛设计研发完成，并于2024-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池电极的制作方法以及太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池电极的制作方法以及太阳能电池。该方法包括在电池主体的表面上设置金属种子层；在金属种子层上形成第一抗镀层，第一抗镀层上设置有第一槽体，第一槽体沿第一方向贯穿第一抗镀层；第一方向为电池主体的厚度方向；采用电镀工艺在金属种子层被第一槽体暴露的区域沉积第一金属材料，得到副栅；在第一抗镀层背离电池主体的一侧形成第二抗镀层，第二抗镀层上设置有第二槽体，第二槽体沿第一方向贯穿第二抗镀层和第一抗镀层；采用电镀工艺在金属种子层被第二槽体暴露的区域沉积第二金属材料，得到主栅；去除第一抗镀层、第二抗镀层以及未与副栅和主栅接触的金属种子层。如此，能够提高太阳能电池的转换效率。
本发明授权太阳能电池电极的制作方法以及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池电极的制作方法，其特征在于，包括：在所述电池主体的表面上形成金属种子层，所述电池主体包括硅基底；在所述金属种子层上形成第一抗镀层，所述第一抗镀层上设置有第一槽体，所述第一槽体沿第一方向贯穿所述第一抗镀层；所述第一方向为电池主体的厚度方向；采用电镀工艺在所述金属种子层上被所述第一槽体暴露的区域沉积第一金属材料，得到副栅；在所述第一抗镀层背离所述电池主体的一侧形成第二抗镀层，所述第二抗镀层上设置有第二槽体，所述第二槽体沿所述第一方向贯穿所述第二抗镀层和所述第一抗镀层；采用电镀工艺在所述金属种子层上被所述第二槽体暴露的区域沉积第二金属材料，得到主栅；去除所述第一抗镀层、所述第二抗镀层以及未与所述副栅和所述主栅接触的所述金属种子层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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