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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118398651B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410616891.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆是由罗成志;钟敏;伍术设计研发完成，并于2024-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆。功率器件包括：依次层叠设置的衬底和外延层；所述外延层包括源极沟槽和至少两个栅极沟槽；其中，所述源极沟槽和所述至少两个栅极沟槽位于所述外延层远离所述衬底的一侧；所述外延层远离所述衬底的表面还包括第一导电类型区和第二导电类型区；所述第二导电类型区位于所述第一导电类型区远离所述衬底的一侧，所述第一导电类型区和所述第二导电类型区位于所述源极沟槽和所述栅极沟槽之间以及相邻的所述栅极沟槽之间。本发明实施例可以降低器件的导通电阻。

本发明授权功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底和外延层；所述外延层包括源极沟槽和至少两个栅极沟槽；其中，所述源极沟槽和所述至少两个栅极沟槽位于所述外延层远离所述衬底的一侧；所述外延层远离所述衬底的表面还包括第一导电类型区和第二导电类型区；所述第二导电类型区位于所述第一导电类型区远离所述衬底的一侧，所述第一导电类型区和所述第二导电类型区位于所述源极沟槽和所述栅极沟槽之间以及相邻的所述栅极沟槽之间；所述源极沟槽和所述至少两个栅极沟槽内均包括氧化物层和多晶硅层，所述氧化物层位于所述多晶硅层与所述外延层之间；所述功率器件还包括绝缘层和源极金属；所述绝缘层位于所述栅极沟槽内，且所述绝缘层位于所述多晶硅层和所述氧化物层远离所述衬底的一侧；所述源极金属设置于所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述源极沟槽与所述栅极沟槽之间的所述第二导电类型区和所述源极金属接触，相邻所述栅极沟槽之间的所述第二导电类型区和所述源极金属接触，所述源极沟槽内的所述多晶硅层和所述源极金属接触。

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