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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利硅单晶表面无损的铝选区扩散方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118186578B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410175142.5，技术领域涉及：C30B29/06；该发明授权硅单晶表面无损的铝选区扩散方法及其应用是由焦倩倩;李玲;魏晓光;刘瑞;吴沛飞;唐新灵设计研发完成，并于2024-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅单晶表面无损的铝选区扩散方法及其应用在说明书摘要公布了：一种硅单晶表面无损的铝选区扩散方法及其应用。所述铝选区的制备方法或铝选区扩散方法包括：基底表面形成第一介质膜；对基底表面的第一介质膜进行Al预沉积或预扩散；保留目标区域的Al预沉积或预扩散的第一介质膜，去除非目标区域的第一介质膜；在包括第一介质膜的基底表面形成铝阻挡膜；其中，所述铝阻挡膜能够阻止Al元素的扩散，且与基底表面不存在应力失配缺陷；将第一介质膜中的Al扩散至目标深度；去除第一介质膜和铝阻挡膜，得到扩散的铝选区。本发明的实现了对硅单晶表面Al选区扩散的精确控制，可以灵活调整表面Al掺杂浓度，降低了工艺成本，提升了硅基双极功率器件的电学性能稳定性。

本发明授权硅单晶表面无损的铝选区扩散方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种铝选区扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：基底表面形成第一介质膜；对基底表面的第一介质膜进行Al预沉积或预扩散；保留目标区域的Al预沉积或预扩散的第一介质膜，去除非目标区域的第一介质膜；在包括第一介质膜的基底表面形成铝阻挡膜；其中，所述铝阻挡膜能够阻止Al元素的扩散，且与基底表面不存在应力失配缺陷；将第一介质膜中的Al扩散至目标深度；去除第一介质膜和铝阻挡膜，得到扩散的铝选区；所述基底为硅单晶基底；所述第一介质膜为单层膜或复合膜，所述单层膜为SiO2膜，所述复合膜为SiO2PolySi膜；所述铝阻挡膜为相邻的三层，分别为第一层的SiO2或PolySi膜，第二层的Si3N4膜，以及第三层的SiO2或PolySi膜，所述第一层和第三层的厚度小于0.5微米；所述铝阻挡膜的第一层、第二层和第三层构成三层介质膜；在将第一介质膜中的Al扩散至目标深度的步骤之前，还包括在N2或H2气氛下对附着有三层介质膜的硅单晶基底进行退火，退火温度500℃-1200℃，退火温度小于硅单晶及其表面膜层的熔点或相互之间的反应温度，退火时长小于10min，退火过程有助于消除三层介质膜之间的应力，以及三层介质膜与硅单晶基底之间的应力，提升三层介质膜的致密度。

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