恭喜河源市众拓光电科技有限公司李国强获国家专利权
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龙图腾网恭喜河源市众拓光电科技有限公司申请的专利一种垂直结构LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117766657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311759959.9，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种垂直结构LED及其制备方法是由李国强;雷蕾设计研发完成，并于2023-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直结构LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种垂直结构LED及其制备方法，其中，垂直结构LED包括上下设置的发光体和导电体；发光体包括由上而下依次层面连接的第一绝缘层、N‑GaN层、MQWs层、EBL层、P‑GaN层、反射金属层、保护金属层及第二绝缘层；发光体底面一侧具有贯通至N‑GaN层的第一凹槽，第一凹槽基于内表面覆盖第二绝缘层而填充N电极层，第二绝缘层位于发光体底面另一侧处具有第二凹槽；导电体包括导电衬底和P电极层；导电衬底通过金属键合层部分覆盖第二绝缘层并与N电极层连接，P电极层设置在第二凹槽内与保护金属层连接；该垂直结构LED能进行倒装键合封装，能提高LED器件的可靠性、稳定性及发光效率。
本发明授权一种垂直结构LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构LED，其特征在于，所述垂直结构LED包括上下设置的发光体和导电体；所述发光体包括由上而下依次层面连接的第一绝缘层、N-GaN层、MQWs层、EBL层、P-GaN层、反射金属层、保护金属层及第二绝缘层；所述发光体底面一侧具有贯通至所述N-GaN层的第一凹槽，所述第一凹槽基于内表面覆盖所述第二绝缘层而填充N电极层，所述第二绝缘层位于发光体底面另一侧处具有第二凹槽；所述导电体包括导电衬底和P电极层；所述导电衬底通过金属键合层部分覆盖所述第二绝缘层并与所述N电极层连接，所述P电极层设置在所述第二凹槽内与所述保护金属层连接；所述P电极层底面与所述导电衬底的底面平齐；所述第一凹槽在所述N-GaN层中的深度为所述N-GaN层的厚度的14-12；所述导电衬底的宽度小于所述保护金属层上的第二绝缘层的宽度的12；所述P电极层完全覆盖所述第二凹槽。
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