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龙图腾网恭喜天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117673203B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311668397.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏系统是由殷志豪;杨广涛;陈达明设计研发完成，并于2023-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏系统在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏系统。以减少激光辅助烧结对硅基底层造成的伤害，从而提高电池性能。一种太阳能电池的制备方法，太阳能电池具有受光区域和非受光区域，太阳能电池包括：硅基底层以及设置于硅基底层的厚度方向的第一侧且位于非受光区域的第一电极图案，第一电极图案至少采用激光辐照工艺进行制备；该方法包括：在采用激光辐照工艺制备第一电极图案之前，在硅基底层的第一侧且至少在第一区域形成第一激光遮挡层，第一区域是指从第一电极图案的边沿向远离第一电极图案的方向延伸第一距离所覆盖的受光区域，第一激光遮挡层用于对激光照射到受光区域中的至少第一区域进行遮挡。

本发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述太阳能电池具有受光区域和非受光区域，所述太阳能电池包括：硅基底层以及设置于所述硅基底层的厚度方向的第一侧的第一电极图案，所述第一电极图案位于所述太阳能电池的非受光区域，所述第一电极图案至少采用激光辐照工艺进行制备；所述制备方法包括：在采用所述激光辐照工艺制备所述第一电极图案之前，在所述硅基底层的所述第一侧且至少在第一区域形成第一激光遮挡层，所述第一区域是指从所述第一电极图案的边沿向远离所述第一电极图案的方向延伸第一距离所覆盖的受光区域，所述第一距离为0.1mm～0.5mm，所述第一激光遮挡层用于对激光照射到所述受光区域中的至少所述第一区域进行遮挡；所述第一激光遮挡层的材料为导电材料；在采用所述激光辐照工艺制备所述第一电极图案之前，在所述硅基底层的所述第一侧且位于所述受光区域和所述非受光区域形成所述第一激光遮挡层；并在采用激光辐照工艺制备所述第一电极图案之后，将所述第一激光遮挡层位于所述受光区域的部分去除；或者，在采用所述激光辐照工艺制备所述第一电极图案之前，采用图案化工艺，在所述硅基底层的所述第一侧且位于所述第一区域和所述非受光区域形成所述第一激光遮挡层；并在采用激光辐照工艺制备所述第一电极图案之后，将所述第一激光遮挡层位于所述第一区域的部分去除。

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