恭喜武汉大学台启东获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉大学申请的专利一种基于氧化钴空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117500339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311417020.4，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种基于氧化钴空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用是由台启东;金俊君设计研发完成，并于2023-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氧化钴空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于氧化钴空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，属于空穴传输层技术领域。其制备方法包括：1在透明导电衬底表面蒸镀形成钴金属层；2所述钴金属层在紫外线辐照及加热下进行处理，使钴完成氧化，得到氧化钴空穴传输层；3于所述氧化钴空穴传输层表面依次制备形成钙钛矿吸收层、电子传输层、金属电极，得到反式钙钛矿太阳能电池。所得氧化钴空穴传输层具有制备方法简单、成本低廉、并可大面积生产等优点，制备出的电池器件具有更高的光电转化效率和更为优异的稳定性尤其紫外稳定性，为钙钛矿太阳能电池的实际应用奠定了良好基础。
本发明授权一种基于氧化钴空穴传输层的反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种反式钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在透明导电衬底表面蒸镀形成钴金属层；钴金属层的厚度为0.5~20nm；（2）所述钴金属层在紫外线辐照及加热下进行处理，使钴完成氧化，得到氧化钴空穴传输层；（3）于所述氧化钴空穴传输层表面依次制备形成钙钛矿吸收层、电子传输层、金属电极，得到反式钙钛矿太阳能电池。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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