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龙图腾网恭喜武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及液晶面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117457678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311347955.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及液晶面板是由杨从星;张春鹏;艾飞;袁剑峰设计研发完成，并于2023-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及液晶面板在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板及液晶面板，阵列基板采用第一阻挡层在开口区具有第一开口，第一阻挡层至少对应设置在薄膜晶体管设置区和栅驱动电路区。第一阻挡层用于阻挡碱性阳离子向有源层的方向扩散。自基板垂直向有源层的方向上，碱性阳离子进入第一阻挡层的深度小于或等于20埃。由于第一阻挡层避开开口区，提高了开口区的透光性能；而第一阻挡层设置在薄膜晶体管设置区和栅驱动电路区，用于阻挡碱性阳离子进入有源层，提高了薄膜晶体管设置区和栅驱动电路区中薄膜晶体管的稳定性。

本发明授权阵列基板及液晶面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，包括像素显示区、解复用电路区和栅驱动电路区，所述栅驱动电路区位于所述像素显示区的至少一侧，所述解复用电路区位于所述像素显示区的至少一端，所述像素显示区包括开口区和薄膜晶体管设置区，所述开口区位于所述薄膜晶体管设置区的一侧，所述开口区用于透过背光模组的光线，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在所述基板上，所述第一阻挡层在所述开口区具有第一开口，所述第一阻挡层至少对应设置在所述薄膜晶体管设置区、所述解复用电路区和所述栅驱动电路区；缓冲层，所述缓冲层设置在所述第一阻挡层远离所述基板的一侧，所述缓冲层覆盖所述开口区、所述薄膜晶体管设置区和所述栅驱动电路区；薄膜晶体管结构层，设置在所述缓冲层远离所述基板的一面上，所述薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述薄膜晶体管设置区，所述第二薄膜晶体管设置在所述栅驱动电路区；所述薄膜晶体管结构层包括有源层、栅极绝缘层和第一金属层，所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的一面上，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述缓冲层的一面上，所述第一金属层包括栅极，所述第一金属层设置在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一面上，所述第一金属层至少设置在所述薄膜晶体管设置区和所述栅驱动电路区；第二阻挡层，设置在所述第一金属层和所述栅极绝缘层之间；所述第一阻挡层用于阻挡碱性阳离子向所述有源层的方向扩散，自所述基板垂直向所述有源层的方向上，所述碱性阳离子进入所述第一阻挡层的深度小于或等于20埃；所述第二阻挡层在所述开口区和所述薄膜晶体管设置区具有第二开口，所述第二阻挡层在所述解复用电路区具有第三开口，所述第二阻挡层对应设置在所述栅驱动电路区；所述第二阻挡层用于阻挡碱性阳离子向所述有源层的方向扩散，自所述第一金属层垂直向所述有源层的方向上，所述碱性阳离子进入所述第二阻挡层的深度小于或等于20埃。

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