恭喜河源市众拓光电科技有限公司李国强获国家专利权
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龙图腾网恭喜河源市众拓光电科技有限公司申请的专利一种垂直结构的LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116825920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311045067.2，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种垂直结构的LED芯片及其制备方法是由李国强设计研发完成，并于2023-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直结构的LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例属于LED芯片技术领域，涉及一种垂直结构的LED芯片，包括导电衬底、外延结构层、P电极与二维材料层；外延结构层设于导电衬底上，外延结构层包括P型氮化镓材料层；P电极设于外延结构层上，P电极与P型氮化镓材料层形成欧姆接触；二维材料层设于外延结构层上，二维材料层通过范德华力作用与P型氮化镓材料层形成异质结构。本申请还涉及一种LED芯片的制备方法。本申请提供的技术方案能够减小LED器件的尺寸且提高LED器件的发光功率。
本发明授权一种垂直结构的LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构的LED芯片，其特征在于，包括导电衬底、外延结构层、P电极、N电极与二维材料层；所述外延结构层设于所述导电衬底上，所述外延结构层包括P型氮化镓材料层、N型氮化镓材料层与多量子阱层；所述N型氮化镓材料层设于所述导电衬底上；所述多量子阱层设于所述N型氮化镓材料层上；所述P型氮化镓材料层设于所述多量子阱层上；其中，所述外延结构层朝向所述导电衬底的一侧形成N电极台阶；所述P电极设于所述外延结构层上，所述P电极与所述P型氮化镓材料层形成欧姆接触；所述N电极设于所述N电极台阶内；所述二维材料层设于所述外延结构层上，所述二维材料层通过范德华力作用与所述P型氮化镓材料层形成异质结构，其中，所述二维材料层的材料为MXene材料，其中，所述MXene材料选自Hf2COH2、Zr2NOH2、NbC2中的至少一种。
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