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龙图腾网恭喜华润微电子(重庆)有限公司申请的专利超结MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110631921.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权超结MOSFET器件是由廖天;马荣耀;王代利;张鹏程;冷静;刘中旺设计研发完成，并于2021-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种超结MOSFET器件，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的缓冲层，位于衬底上；超结结构，位于缓冲层上，超结结构包括沿横向依次交替间隔分布的多个第一导电类型柱和第二导电类型柱，第二导电类型不同于第一导电类型；其中，若干第二导电类型柱局部和或整体发生偏移，以使第一导电类型柱具有2个以上不同的横向尺寸；第二导电类型的体区，位于第二导电类型柱的上方；源极结构，位于体区内，源极结构包括相互接触的第一导电类型的源区和第二导电类型的欧姆接触区；栅极结构，与第一导电类型柱及源极结构相接触。本发明经改善的结构设计，可使得其电容下降斜率更缓，由此可以有效缓解器件在应用时的电磁干扰等问题。

本发明授权超结MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种超结MOSFET器件，其特征在于，所述超结MOSFET器件包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的缓冲层，位于所述衬底上；超结结构，位于所述缓冲层上，所述超结结构包括沿横向依次交替间隔分布的多个第一导电类型柱和第二导电类型柱，第二导电类型不同于第一导电类型；其中，若干所述第二导电类型柱局部发生偏移，以使第一导电类型柱具有2个以上不同的横向尺寸，所述第二导电类型柱的偏移距离不超过一个元胞的距离，以使各元胞内保持电荷平衡状态；第二导电类型的体区，位于所述第二导电类型柱的上方；源极结构，位于所述体区内，所述源极结构包括相互接触的第一导电类型的源区和第二导电类型的欧姆接触区；栅极结构，与所述第一导电类型柱及所述源极结构相接触。

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