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龙图腾网恭喜现代摩比斯株式会社申请的专利功率半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725298B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110580877.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权功率半导体器件及其制造方法是由河定穆;禹赫;金信儿;金台烨设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种功率半导体器件，包括：碳化硅SiC的半导体层；在一个方向上延伸的至少一个沟槽；在所述至少一个沟槽的至少内壁上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的至少一个栅极电极层；在所述至少一个栅极电极层的至少一侧的半导体层中形成的漂移区；在所述半导体层中形成得比所述至少一个栅极电极层深的阱区；在所述阱区中形成的源极区；以及在所述漂移区与所述源极区之间、所述至少一个栅极电极层的一侧的半导体层中形成的至少一个沟道区。根据本申请的功率半导体器件可以提供改善的高耐压特性和改善的操作可靠性。

本发明授权功率半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括：碳化硅（SiC）的半导体层；在第一方向上延伸并从所述半导体层的表面凹入至所述半导体层内的至少一个沟槽，所述沟槽包括第一沟槽；设置在所述至少一个沟槽的至少内壁上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上、所述至少一个沟槽中的至少一个栅极电极层；设置在所述至少一个栅极电极层的至少一侧上的半导体层中并且具有第一导电类型的漂移区；设置在所述半导体层中的阱区，所述阱区在所述半导体层中设置得比所述至少一个栅极电极层深以与所述漂移区的至少一部分接触并至少在所述至少一个栅极电极层的一端围绕所述至少一个栅极电极层的底表面，所述阱区具有第二导电类型；设置在所述阱区中并且具有所述第一导电类型的源极区；以及设置在所述漂移区和所述源极区之间、所述至少一个栅极电极层的一侧的半导体层中并且具有所述第二导电类型的至少一个沟道区；其中，所述漂移区包括垂直延伸到所述半导体层的表面并且围绕所述至少一个沟槽的底面的垂直部分，以及其中，所述漂移区的所述垂直部分的两侧与所述阱区接触，其中，所述源极区包括在所述第一方向上与所述第一沟槽间隔开的源极接触区，以及其中，所述阱区与阱接触区接触，所述阱接触区在所述第一方向上与所述源极接触区接触；其中，所述至少一个沟槽包括沿着所述第一方向平行地设置在所述半导体层中的多个沟槽，所述沟槽包括第二沟槽，其中，所述至少一个栅极电极层包括设置在所述多个沟槽中的多个栅极电极层，其中，所述阱区和所述源极区延伸跨越所述多个栅极电极层，其中，所述至少一个沟道区包括设置在所述多个栅极电极层的一侧的半导体层中的多个沟道区，其中，所述第二沟槽在所述第一方向上与所述第一沟槽分开，以及其中，所述源极接触区位于所述第一沟槽和所述第二沟槽之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人现代摩比斯株式会社，其通讯地址为：韩国首尔市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。